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    固體鉭電容漏電流分析

    文章出處:未來電子    作者:Admin    瀏覽次數:2    發表時間:2016-10-23 17:12:36

    固體鉭電容器的漏電流是幾個獨立因素之和,對各種條件下漏電流的測量,可以一定程度將這些漏電流成分分開,因此相對重要的大漏電流因素可以評估出來。有直接的背景涉及到介質吸收,它對電容器的損耗因子有貢獻。 它不是真正的漏電流。另外,緊接著吸收電流的是其它成分,大多數在本質上是介質本體的旁路電流。這些可能是潮汽或二氧化錳軌跡或介質層的擊穿點造成的。這些典型的行為方式也會詳細介紹

    固體鉭電容的漏電流是幾個獨立因素的總和,

    固體鉭電容的漏電流是幾個獨立因素的總和,在一定測試條件范圍內對漏電流可以得到某種

    程度的分開的量值,所以,可以對導致漏電流大的重要因素進行評估,在一定測試條件范圍內對漏電流可以得到某種程度的分開的量值,所以,可以對導致漏電流大的重要因素進行評估。

    這里有一個大約為介質電阻率的參考背景。此背景直接與介質吸收相聯系,并對電容器的損耗因子有貢獻。它并不是真正意義上的漏電流,因為在電容器放電時可以恢復。它與電壓成正比,并在測量漏電流期間與時間成反比。

    在吸收電流的最大值中,存在其它的成分,絕大多數情況下主要是電介質體的旁路電流。這些情況可能是潮氣或二氧化錳軌跡或介質層有穿破點。這決定于測量電壓,范圍從歐姆級到極端敏感的值。潮濕的原因可以通過在高低溫時,電容器的行為特性鑒別出來。介質層有穿破點發生的漏電流很大程度上地決定于電壓。另一方面二氧化錳軌道一般為歐姆級的電流。

    下面會詳細介紹一些漏電流典型的表現模式。

    鉭電容的漏電流測量一般在室溫、額定電壓、3-5分鐘后以專一的值表示。與選定的一般極限10nA/μFV(例如:33μF10V為3.3μA) 做比較,可以分類為高漏電流或低漏電流。低漏電流電容的能力極限在0. 01nA/μFV的范圍內。用絕緣電阻的話,等于1000,000兆歐微法,相當于高于歐姆厘米電阻率。

    在任何一個產品批中,漏電流值的范圍從0. 1nA/μFV或更低,高到選定的極限值。那些接近或超過此極限值的產品在最后的測試中被剔除。制造商需要分析剔除的原因,并改善一般產品的性能,以及為壽命故障試驗和生產現場制定一個程序。這篇文章概括了從這樣的分析中得到的結果。

    漏電流分布情況

    電流有一個低的不能更低的極限值,這是具體陽極設計和生產工藝能力的極限。在一個理想

    的生產批中,所有漏電流會集中在此極限的周圍。實際上,分布有一個尾狀形,一些電容器只是稍高于正常水平,另一些的值擴大到電阻值低于10歐姆的短路。

    為了理解漏電流的行為特征,有必要對能力極限時的漏電流的特性進行描述,然后對該背景

    漏電流水平進行恰當的說明。

    作為一個簡化的假設,建議把總的漏電流看成是各部分漏電流相加的。所以一旦一批產品的能力極限水平已經建立,各種漏電流的數量可以從總數中減去。然后余下的漏電流成分的行為方式可以與典型的電流運載機制已知特性相比較。其中余下的成分被成為“故障電流”,因為它在完好的電容器中不存在,流經介質或外絕緣的漏電流除外。


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